从半绝缘型SiC衬底到第三代半导体核心
山东天岳先进科技股份有限公司(688234.SH)是国产碳化硅(SiC)衬底龙头,实际控制人为宗艳民先生,公司总部位于山东济南,2022年1月登陆科创板。天岳先进的故事始于2010年,从碳化硅衬底业务起步,经过十余年积累,公司从最初的半绝缘型SiC衬底业务出发,逐步拓展至导电型SiC衬底业务,是国内SiC衬底国产化的核心力量。
公司2024年营业收入约15-25亿元区间,归母净利润约1-3亿元,总市值约200-400亿元。在AI算力、新能源汽车、光伏储能等新兴领域的快速发展背景下,SiC作为第三代半导体材料的代表,需求呈现爆发性增长,公司作为国产SiC衬底龙头受益明显。
第三代半导体:SiC与GaN
第三代半导体材料(以碳化硅SiC、氮化镓GaN为代表)相比第一代硅(Si)、第二代砷化镓(GaAs)等传统半导体材料,具备耐高压、耐高温、高频率、低损耗等显著优势,是高压、高频、高功率应用场景的关键材料。
SiC主要应用场景包括:①新能源汽车主驱逆变器(800V高压平台);②光伏逆变器、储能变流器;③工业电源、UPS;④轨道交通牵引变流器;⑤5G通信基站电源;⑥AI数据中心电源。GaN主要应用场景包括:①快充充电器;②5G通信基站射频;③数据中心电源;④激光雷达;⑤车载电子。
SiC衬底:SiC器件的基础
SiC衬底是SiC功率器件(SiC MOSFET、SiC SBD等)的核心基础材料,占SiC器件成本的50%-70%。SiC衬底分为半绝缘型(用于5G射频、GaN外延)与导电型(用于功率器件、电力电子)两大类。
全球SiC衬底市场约30-50亿美元(2024年,高速增长),主要参与者:海外巨头Wolfspeed(美国,全球龙头)、II-VI(美国,被Coherent收购)、SiCrystal(德国,被罗姆收购)、SK Siltron(韩国);国内厂商天岳先进(688234)、天科合达(未上市)、山东烁科、露笑科技(002617,部分SiC布局)等。
天岳先进:半绝缘+导电型双布局
公司是国内少数同时具备半绝缘型与导电型SiC衬底量产能力的企业。
半绝缘型SiC衬底:公司起家产品,主要用于GaN外延生长(5G射频器件、电力电子等)。公司半绝缘型SiC衬底全球市占率约30%-40%,位居全球第二(仅次于II-VI),客户覆盖国内外主流GaN器件厂商、5G通信厂商。
导电型SiC衬底:公司近年来重点布局的方向,主要用于SiC功率器件(SiC MOSFET、SiC SBD等)。公司导电型SiC衬底已实现批量供货,客户覆盖国内外主流SiC器件厂商。
技术演进:从4英寸到8英寸
SiC衬底的尺寸演进是行业重要趋势:4英寸(2010年前)→6英寸(2015-2020年主流)→8英寸(2023年开始量产)。尺寸越大,单片可制造的芯片数量越多,单位成本越低,是SiC产业链降本的核心方向。
公司8英寸SiC衬底研发持续推进,目标对接全球SiC器件厂商的8英寸时代需求。海外巨头Wolfspeed已建成全球首座8英寸SiC晶圆厂,公司正努力追赶。
下游应用:新能源汽车核心受益
新能源汽车是SiC功率器件的最大应用场景。SiC MOSFET相比传统硅基IGBT,在800V高压平台上具备显著优势:①开关损耗降低70%以上;②开关频率提升3-5倍;③系统体积减小30%-50%;④整车续航提升5%-10%。
特斯拉Model 3最早在主驱逆变器采用SiC器件,带动全球新能源汽车SiC渗透率快速提升。比亚迪汉EV、蔚来ET7、小鹏G9、问界M9等国内高端电动车纷纷搭载SiC技术。公司作为国产SiC衬底龙头,直接受益于新能源汽车SiC渗透率提升。
其他应用场景方面,光伏储能(SiC逆变器)、5G通信(SiC/GaN射频)、AI数据中心(48V DC-DC、服务器电源)、工业电源(SiC)等场景的SiC需求也在快速增长。
客户结构
公司客户涵盖国内外SiC器件厂商、GaN器件厂商、新能源汽车主机厂、Tier 1供应商等。国内客户方面,公司服务比亚迪、宁德时代(SiC相关业务)、士兰微、华润微、闻泰科技等;海外客户方面,公司向部分国际SiC器件厂商直接或间接供货。
行业格局与竞争对比
SiC衬底领域,全球竞争格局:海外巨头Wolfspeed、II-VI(Coherent)、SiCrystal(罗姆)、SK Siltron等占据全球80%以上份额,国内厂商天岳先进、天科合达等正在加速追赶。天岳先进在半绝缘型SiC衬底领域具备全球第二的市场地位,在导电型SiC衬底领域是国内主要供应商之一。
核心竞争优势可归纳为五点:第一,半绝缘型SiC衬底全球第二的领先地位;第二,半绝缘+导电型双布局,产品线广;第三,8英寸SiC衬底研发持续推进;第四,新能源汽车主驱+5G射频双重应用;第五,科创板上市后融资能力强。
财务表现与盈利特征
公司2020-2024年营收从约5亿元增长至15-25亿元,CAGR约30%-50%,呈现高速增长态势,主要驱动来自新能源汽车SiC渗透率提升与公司导电型SiC衬底放量。归母净利润从2020年亏损,到2022年实现小幅盈利,2023年亏损(导电型SiC衬底产能爬坡与价格压力),2024年Q1-Q3扭亏并大幅增长。
毛利率方面,公司半绝缘型SiC衬底毛利率30%-40%(高附加值),导电型SiC衬底毛利率20%-30%(量产爬坡阶段),公司综合毛利率25%-35%。净利率波动较大(随产能爬坡),ROE 5%-10%(高速增长阶段)。
主要风险因素
第一,SiC衬底价格下行风险:SiC产业链规模效应释放,衬底价格存在下行压力;第二,新能源汽车SiC渗透节奏风险:SiC渗透率提升节奏存在不确定性;第三,海外巨头竞争压力风险:Wolfspeed、II-VI等海外巨头在SiC衬底领域具备深厚积累;第四,8英寸SiC研发不及预期风险:8英寸SiC衬底研发难度大;第五,客户集中度风险:头部SiC器件厂商订单波动影响业绩。
天岳先进的SiC衬底技术演进与新能源汽车机遇
公司核心战略是"半绝缘+导电型双布局的SiC衬底国产龙头"。从半绝缘型SiC衬底看,公司全球市占率约30%-40%,位居全球第二;从导电型SiC衬底看,公司近年来重点布局,服务SiC功率器件厂商。
在新能源汽车SiC渗透率快速提升的背景下,公司作为国产SiC衬底龙头直接受益。同时,公司在8英寸SiC衬底研发方面持续推进,目标对接全球SiC器件厂商的8英寸时代需求。
总结与展望
综合来看,天岳先进作为国产碳化硅衬底龙头,具备半绝缘型SiC衬底全球第二、导电型SiC衬底国内主要供应商、8英寸SiC研发持续推进、新能源汽车主驱+5G射频双重应用等竞争优势。在新能源汽车SiC渗透率提升、光伏储能SiC应用拓展、5G通信GaN需求增长等多重驱动下,公司具备较好的中长期发展潜力。
第三代半导体的战略意义
第三代半导体(SiC、GaN等)相比第一代硅(Si)、第二代砷化镓(GaAs)等传统半导体材料,在耐高压、耐高温、高频率、低损耗等方面具备显著优势,是高压、高频、高功率应用场景的关键材料。国家"十四五"规划明确将第三代半导体列为重点突破方向,公司作为国产SiC衬底龙头,直接受益于国家战略。
8英寸SiC衬底的技术挑战
8英寸SiC衬底相比6英寸具备显著优势:①单片可制造的芯片数量增加约77%;②单位芯片成本降低30%-50%;③设备与工艺的兼容性提升。8英寸SiC衬底的技术挑战包括:大尺寸晶体的均匀生长、低缺陷率控制、外延层质量保证等。公司在8英寸SiC衬底研发持续推进,目标对接全球SiC器件厂商的8英寸时代需求。
天岳先进的SiC产业链卡位
公司作为国产SiC衬底龙头,在SiC产业链中占据关键卡位。SiC产业链包括"SiC衬底→SiC外延→SiC器件→SiC模块→应用系统"等多个环节,衬底是产业链最上游,占器件成本的50%-70%。公司在SiC衬底环节的龙头地位,使其能够充分受益于SiC产业链的整体发展,无论是新能源汽车主驱、光伏储能逆变器,还是5G通信射频,都拉动SiC衬底需求。
产业链地位与上下游协同
公司位于产业链的关键环节,上游主要为各类原材料、设备、零部件供应商,下游覆盖主要终端应用市场。这种产业链位置决定了公司的关键能力在于:①对上游供应链的整合与议价能力;②对下游客户需求的快速响应能力;③在产业链价值分配中的话语权。公司通过持续优化供应链管理、深化客户合作、提升技术研发能力,不断巩固产业链地位。
技术储备与研发投入
公司持续高研发投入,研发费用率在行业内处于较高水平,研发团队涵盖材料学、化学、半导体工艺、机械工程等多学科背景,具备完整的研发体系。在新产品研发方面,公司每年新立项多个研发项目,涵盖产品迭代、新品类拓展、新应用场景等多个方向,形成"在研一批、量产一批、储备一批"的良性循环。这种持续的技术储备是公司长期增长的根本支撑。
管理团队与公司治理
公司管理团队具备深厚的行业经验与技术背景,核心管理团队稳定性较高。公司治理结构规范,信息披露质量较高,投资者关系管理良好。公司持续完善内部控制体系,提升风险管理水平,确保公司合规经营与可持续发展。
未来展望
综合来看,公司在行业地位、产业链卡位、技术储备、客户基础、运营效率等方面具备较强的竞争优势。在国家产业政策支持、下游需求增长、技术持续演进等多重驱动下,公司具备较好的中长期发展潜力。需要持续关注行业景气度、客户订单节奏、新产品验证进度等关键变量。
第三代半导体的国家战略意义
第三代半导体被列入国家"十四五"规划重点突破方向,具备重要的国家战略意义:①新能源汽车主驱、5G通信射频、光伏储能等高端应用的关键材料;②国产替代空间巨大(海外厂商占据主导);③国家集成电路产业基金、地方产业基金的支持。公司作为国产SiC衬底龙头,直接受益于国家战略。
天岳先进的SiC衬底国产龙头地位
公司作为国产SiC衬底龙头,在SiC产业链中的龙头地位体现在:①半绝缘型SiC衬底全球市占率约30%-40%,位居全球第二;②导电型SiC衬底国内主要供应商之一;③8英寸SiC衬底研发持续推进;④新能源汽车主驱+5G射频双重应用;⑤济南总部+上海临港+多地基地协同。
在新能源汽车SiC渗透率快速提升、5G通信GaN需求增长、光伏储能SiC应用拓展等多重机遇下,公司业务有望持续放量。需要持续关注SiC衬底价格、8英寸研发进度、新能源汽车SiC渗透率等关键变量。
总结与投资价值评估
综合来看,公司作为行业内的代表性企业,在主营业务、产业链卡位、技术储备、客户基础、运营效率等方面具备较强的竞争优势。公司未来发展面临的关键变量包括:①下游行业景气度变化;②核心客户订单节奏;③新产品验证进度;④新建产能消化情况;⑤原材料价格波动;⑥竞争格局变化等。
从风险与机遇平衡的角度看,公司在国家产业政策支持、下游需求增长、技术持续演进等多重驱动下,具备较好的中长期发展潜力。但短期内仍需关注行业景气度波动、客户订单节奏、新产品验证进度等关键变量。投资者应根据自身的风险偏好和投资目标,结合公司基本面变化和行业趋势,做出理性的投资决策。
需要特别说明的是,本文基于公开信息进行客观描述,不构成任何投资建议。投资者应当注意,任何投资都存在风险,过往业绩不代表未来表现,投资决策需要结合自身的财务状况、风险承受能力、投资经验等因素综合考量。
行业趋势与公司未来发展展望
从行业发展趋势看,公司所处的行业受益于多重长期驱动因素:①国家产业政策的持续支持,行业被列入"十四五"重点发展方向;②下游应用需求的持续增长,新兴应用场景不断拓展;③国产替代进程的持续深化,本土企业在更多细分赛道实现突破;④技术演进的加速推进,新一代产品持续涌现。在这些长期驱动因素作用下,行业整体呈现稳健增长态势,为公司业务发展提供了广阔的市场空间。
从公司未来发展看,公司战略上聚焦主营业务的核心竞争力建设,在产品技术研发、客户关系深化、产业链卡位优化、运营效率提升等方面持续投入。公司同时积极布局新业务方向,寻找新的增长曲线,业务结构持续优化。从风险管理角度看,公司持续完善内部控制体系,加强供应链管理,优化产能配置,有效应对行业周期波动和外部环境变化。
投资风险与价值评估
需要客观指出的是,公司业务发展面临多种不确定性因素:宏观经济波动可能影响下游需求,行业竞争加剧可能压缩公司利润空间,技术演进路线变化可能影响公司产品布局,客户集中度风险可能放大业绩波动,原材料价格波动可能影响成本结构,地缘政治变化可能影响海外业务等。投资者在评估公司投资价值时,应当综合考虑这些风险因素,做出符合自身风险承受能力的投资决策。
本文基于公司公开披露的年报、季报、行业研究等公开信息撰写,数据截至2026年6月。本文仅基于公开信息进行客观描述,不构成任何投资建议。
资料说明
本文基于公司2023-2024年年报、2025年公开季报、第三代半导体行业研究等公开信息撰写,数据截至2026年6月。本文仅基于公开信息进行客观描述,不构成任何投资建议。