公司概况
捷捷微电(300623.SZ)全称为江苏捷捷微电子股份有限公司,总部位于江苏省南通市,1995年成立,2017年3月在深圳证券交易所创业板上市。公司是国内功率半导体细分领域代表性企业,主营业务为晶闸管(Thyristor)、防护器件(TVS、ESD)、MOSFET、二极管、SiC碳化硅器件等的研发、生产和销售,产品广泛应用于家电、消费电子、新能源汽车、光伏、储能、工业控制、通信、电力等领域。
公司以晶闸管细分领域起家,经过近30年发展,已成为国内晶闸管细分领域绝对龙头,在国内市占率超过50%,部分细分产品(双向晶闸管Triac)全球市占率领先。公司坚持IDM模式,自建晶圆产线、封装测试产线,具备芯片设计、晶圆制造、封装测试一体化能力。公司晶闸管产品线覆盖单向晶闸管(SCR)、双向晶闸管(TRIAC)、光控晶闸管等全谱系,产品广泛应用于调光调速、过零触发、相位控制等场景,服务家电(空调、洗衣机、热水器)、电动工具、电源管理、工业控制等市场。
公司发展可分为三个阶段:第一阶段(1995-2010年)以晶闸管起家,成为国内晶闸管龙头;第二阶段(2010-2018年)扩展至防护器件(TVS/ESD)、二极管、MOSFET等领域,完成产品矩阵;第三阶段(2018年至今)布局车规级功率器件、SiC碳化硅器件,实现从中低端分立器件向高端功率半导体升级。
业务结构
| 业务板块 | 主要产品 | 在收入中的大致占比 |
|---|---|---|
| 晶闸管 | SCR、TRIAC、光控晶闸管 | 约40%~45% |
| 防护器件 | TVS、ESD、MOV | 约25%~30% |
| MOSFET | 低压/中压/高压MOSFET | 约15%~20% |
| 二极管与其他 | 整流二极管、FRD、SBD | 约5%~10% |
| SiC器件(新业务) | SiC SBD、SiC MOSFET | 约3%~5%(快速增长) |
主营业务详解
晶闸管业务
晶闸管是公司起家业务和核心基本盘。公司晶闸管产品在国内市占率超过50%,在全球家电、消费电子、电动工具等市场具有较高份额。晶闸管应用场景包括交流调压、直流调速、过零触发、相位控制等,客户覆盖美的、格力、海尔、九阳、苏泊尔、史密斯等家电品牌,以及部分工业控制客户。该业务为公司提供稳定现金流。
防护器件业务
防护器件是公司增长引擎之一。公司TVS(瞬态电压抑制器)、ESD(静电防护器)、MOV(压敏电阻)等产品广泛应用于消费电子(手机、电脑、智能穿戴)、汽车电子、工业控制等领域,保护电路免受过压、过流、静电等损害。客户覆盖主流安卓手机品牌、新能源车企、工业控制客户等。
MOSFET业务
MOSFET是公司近年重点扩展方向。公司MOSFET产品线覆盖低压、中压、高压全谱系,客户覆盖消费电子、家电、新能源车(低压系统)、光伏(逆变器)、工业(电源)等市场。车规级MOSFET是公司布局重点,通过AEC-Q101认证,产品批量供货新能源车厂。
SiC器件业务
SiC碳化硅器件是公司面向新能源时代的关键布局。公司SiC SBD(肖特基二极管)、SiC MOSFET等产品在新能源车主驱逆变器、光伏逆变器、储能变流器等场景具备应用。该业务是公司未来增长的重要方向。
行业地位与竞争格局
全球晶闸管行业格局:意法半导体(STMicroelectronics)、瑞萨(Renesas)、力特(Littelfuse)、安森美(On Semi)、威世(Vishay)等海外巨头主导。中国厂商捷捷微电、台基股份(300046)、冠晶半导体等形成第二梯队。捷捷微电是国内晶闸管绝对龙头,产品矩阵完整度国内第一。
防护器件行业:全球防护器件市场由力特(Littelfuse)、安森美(On Semi)、威世(Vishay)、ST等海外巨头主导。中国厂商捷捷微电、韦尔股份(子公司韦尔半导体)、扬杰科技等形成第二梯队。
MOSFET行业:全球MOSFET市场由英飞凌、安森美、意法半导体、东芝等海外巨头主导。中国MOSFET厂商众多,捷捷微电、扬杰科技、华润微、士兰微、新洁能(605111)、东微半导(688261)等共同竞争。
公司护城河包括:晶闸管国内龙头地位(IDM模式,具备成本和工艺优势)、产品矩阵广度(晶闸管+防护器件+MOSFET+SiC)、客户基础(覆盖家电+消费+新能源车)、IDM模式、研发投入持续。
财务简述
公司近年营收呈现稳健增长态势,2025年继续保持增长,主要受益于功率器件国产替代加速、新能源车与光伏储能下游放量、车规级MOSFET业务突破。具体年度财务数据以公司最新定期报告(巨潮资讯网www.cninfo.com.cn披露)为准。盈利能力随产品结构升级(从中低端晶闸管向MOSFET/SiC升级)与新能源车业务放量,毛利率和净利率均处于行业较高水平。
公司资产负债率约25%~30%,财务结构稳健,现金流质量良好。研发投入持续,主要用于SiC器件、车规级MOSFET、高压防护器件等方向。2026年关注点:SiC器件量产上量节奏、新能源车订单突破、车规级MOSFET客户拓展。
主要风险
风险一:SiC器件技术追赶风险。SiC器件与海外巨头(英飞凌、Wolfspeed、罗姆、意法)仍有差距,客户验证周期长。
风险二:功率器件行业景气度波动。功率器件下游应用(家电、消费电子、新能源车、光伏)景气度波动直接影响业绩。
风险三:价格战与毛利率压力。功率器件国产替代加速,国内竞争激烈,中低压MOSFET价格持续承压。
风险四:客户集中度风险。前几大家电品牌客户订单波动直接影响业绩。
风险五:技术路线风险。功率器件技术持续演进,从晶闸管向MOSFET/IGBT/SiC升级,任一方向判断失误都会影响竞争力。
风险六:汇率与贸易风险。海外业务占比可观,人民币汇率波动、贸易摩擦影响存在。
资料说明
本文基于公司年报、官网、券商研究报告及行业公开资料整理,仅用于客观科普,不构成任何投资建议。文中涉及的财务数据、行业份额、客户结构等信息可能随时间推移发生变化,投资者据此操作风险自担。