公司概况
扬杰科技(300373.SZ)全称为扬州扬杰电子科技股份有限公司,总部位于江苏省扬州市,2006年成立,2014年1月在深圳证券交易所创业板上市。公司是国内功率半导体细分领域龙头,主营业务涵盖二极管(整流二极管、快恢复二极管FRD、肖特基二极管SBD)、整流桥、MOSFET(低压/中压/高压)、IGBT、SiC碳化硅器件、保护器件(TVS/ESD)、功率模块(PIM/IPM)等多个产品线,客户覆盖消费电子、家电、新能源汽车、光伏、储能、工业控制、通信等领域,海外业务占比可观。
公司以分立器件起家,2010年起在国内率先布局MOSFET,2015年布局IGBT,2020年开始重点投入SiC碳化硅功率器件。在产品矩阵上,公司从单一二极管扩展到全谱系功率半导体,在分立器件领域已形成"二极管+整流桥+MOSFET+IGBT+SiC"全产品矩阵,在功率模块领域也持续发力。公司是国内首家集芯片设计、晶圆制造、封装测试、销售于一体的IDM(部分产品)模式的功率半导体厂商之一,具备6英寸晶圆制造能力,部分MOSFET/IGBT产品自主流片。
公司发展可分为三个阶段:第一阶段(2006-2014年)以分立二极管、整流桥起家,成为国内分立器件龙头,2014年上市;第二阶段(2014-2020年)持续向中高端功率器件(MOSFET、IGBT、SiC)扩展,产品矩阵完成布局;第三阶段(2020年至今)SiC业务进入收获期,新能源车、光伏储能下游放量,公司业绩进入新一轮增长期。
业务结构
| 业务板块 | 主要产品 | 在收入中的大致占比 |
|---|---|---|
| 二极管与整流桥 | 整流二极管、FRD、SBD、整流桥模块 | 约35%~40% |
| MOSFET | 低压/中压/高压MOSFET | 约25%~30% |
| IGBT | IGBT单管、IGBT模块 | 约10%~15% |
| SiC器件 | SiC SBD、SiC MOSFET、SiC模块 | 约8%~12%(快速增长) |
| 保护器件与功率模块 | TVS、ESD、PIM、IPM | 约5%~8% |
| 其他业务 | 材料、贸易、代工 | 约3%~5% |
主营业务详解
二极管与整流桥业务
二极管与整流桥是公司起家业务和现金牛。公司分立二极管、整流桥产品在全球市场份额位居前列,在国内市占率超过30%,部分细分产品(车规级整流桥)全球市占率第一。客户覆盖全球家电、消费电子、汽车电子等领域的头部品牌。该业务为公司提供稳定现金流,毛利率维持在20%~30%区间。
MOSFET业务
MOSFET是公司近年增长最快的业务之一。公司MOSFET产品线覆盖低压(12V-100V,主供消费电子)、中压(200V-500V,主供家电/工业)、高压(600V-900V,主供光伏/工业)全谱系,客户覆盖消费电子(快充、电池保护)、家电(变频)、工业(电源)、新能源车(低压系统)、光伏(逆变器)等市场。在车规级MOSFET领域,公司通过AEC-Q101认证,产品批量供货新能源汽车。
IGBT业务
IGBT是公司布局的重要方向。公司IGBT单管与IGBT模块产品应用于工业变频、光伏逆变、储能、新能源车主驱等领域。IGBT业务是公司从中低压向高压、从分立器件向模块升级的关键,毛利率相对较高,客户覆盖阳光电源、汇川技术、英搏尔、比亚迪等头部企业。
SiC器件业务
SiC碳化硅器件是公司面向新能源时代的关键布局。公司SiC产品线覆盖SiC SBD(肖特基二极管)、SiC MOSFET单管、SiC功率模块,客户覆盖新能源车厂、光伏逆变器厂商、储能变流器厂商等。公司在SiC衬底、外延、芯片设计、封装测试等环节均有布局,是国内SiC器件主要厂商之一。
行业地位与竞争格局
全球功率器件行业格局:英飞凌(Infineon)、安森美(On Semi)、意法半导体(STMicroelectronics)、三菱电机(Mitsubishi)、东芝(Toshiba)、罗姆(Rohm)等海外巨头占据全球主导地位。中国厂商扬杰科技、士兰微、华润微、捷捷微电、闻泰科技(安世)、时代电气等形成第二梯队。
扬杰科技在分立器件(尤其二极管、整流桥)细分领域具备全球竞争力。在国内功率器件厂商中,公司排名靠前,产品矩阵完整度仅次于士兰微、华润微。SiC领域,公司与天岳先进、三安光电、士兰微、华润微等共同竞争。
公司护城河包括:分立器件细分领域全球龙头地位、产品矩阵广度(覆盖二极管→MOSFET→IGBT→SiC)、客户基础(覆盖全球家电/消费/新能源车)、海外业务占比可观、IDM模式部分落地、海外渠道(公司是A股功率器件厂商中海外业务占比最高的之一)。
财务简述
公司近年营收呈现稳健增长态势,2025年继续保持增长,主要受益于功率器件国产替代加速、新能源车与光伏储能下游放量、SiC业务高速增长。具体年度财务数据以公司最新定期报告(巨潮资讯网www.cninfo.com.cn披露)为准。盈利能力随产品结构升级(从中低端二极管向MOSFET/IGBT/SiC升级)与新能源车业务放量,毛利率和净利率均处于行业较高水平。
公司资产负债率约35%~40%,财务结构稳健,现金流质量良好。研发投入持续,主要用于SiC器件、IGBT模块、车规级MOSFET等方向。2026年关注点:SiC器件量产上量节奏、新能源车SiC订单突破、海外业务受贸易摩擦影响程度。
主要风险
风险一:新能源车销量与SiC渗透率不及预期。公司SiC业务高度依赖新能源车下游,SiC在新能源车主驱的渗透节奏直接决定公司SiC业务增速。
风险二:功率器件价格战风险。功率器件国产替代加速,国内竞争激烈,中低压MOSFET、分立二极管价格持续承压。
风险三:海外贸易摩擦风险。公司海外业务占比可观,美国关税政策、出口管制等可能影响业绩。
风险四:SiC技术追赶风险。SiC器件与海外巨头(英飞凌、Wolfspeed、罗姆、意法)仍有差距,客户验证周期长。
风险五:汇率风险。海外业务以美元结算为主,人民币汇率波动影响业绩。
风险六:晶圆代工产能与价格风险。公司部分产品依赖外部晶圆代工,如果代工产能紧张或代工价格上涨,会拖累毛利率。
资料说明
本文基于公司年报、官网、券商研究报告及行业公开资料整理,仅用于客观科普,不构成任何投资建议。文中涉及的财务数据、行业份额、客户结构等信息可能随时间推移发生变化,投资者据此操作风险自担。